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多次級(jí)高壓變壓器的分布電容

更新時(shí)間:2012-03-12      瀏覽次數(shù):3335
  摘要:本文通過(guò)傳統(tǒng)繞線和PCB迭繞兩種工藝的比較,并采用諧振法測(cè)得諧振頻率及通過(guò)計(jì)算得到分布電容,zui后以實(shí)測(cè)波形說(shuō)明分布電容對(duì)電路性能的影響。

        高壓變壓器的分布參數(shù)主要是漏感和分布電容,在高壓變壓器應(yīng)用中單次級(jí)變壓器的分布電容很大,嚴(yán)重影響了電路的工作性能。為了減小分布電容,將單次級(jí)繞組分段繞制后再串聯(lián),后接整流和濾波電路。如果分段后變比依舊很大,那么在次級(jí)匝數(shù)依然很多的情況下,分布電容依然較大。當(dāng)分布電容不為所用時(shí),只有想方設(shè)法減小它。
  
   
  1、分布電容產(chǎn)生機(jī)理
  
  在高壓變壓器中,分布電容由匝間分布電容和層間分布電容構(gòu)成。任何兩匝線圈間都存在分布電容。將“平板電容器的電容量與極板面積成正比,與極板間距成反比”表達(dá)成只有相鄰兩匝線圈時(shí)單位長(zhǎng)度分布電容表達(dá)式為:
  
  其中,C為單位長(zhǎng)度分布電容值;ε為兩線圈間介質(zhì)的介電常數(shù);s為長(zhǎng)為單位長(zhǎng)度、寬為線徑的等效對(duì)立面積;d為兩線圈中心間距。為減小兩線間分布電容,減小ε和s,增加d。
  
  2、傳統(tǒng)繞制線包和PCB線圈的比較
  
  為方便比較,兩種工藝?yán)@制的變壓器均采用如下相同參數(shù):
  
  工作模式:全橋拓?fù)?;工作頻率:150kHz;輸入電壓/電流:50V/3A;初級(jí)匝數(shù)Np:4匝;8個(gè)輸出次級(jí)匝數(shù)Ns1~Ns8:68匝,68匝,68匝,68匝,62匝,62匝,62匝,62匝;次級(jí)線徑/線寬:0.2mm;磁芯:PQ40;絕緣等級(jí):初級(jí)和次級(jí)及次級(jí)和磁芯間耐壓大于8kVDC;絕緣處理:均采用0.05mm厚的聚酯薄膜膠紙。
  
  2.1線包繞制工藝
  
  高壓變壓器的線包繞制工藝如下:
  
 ?。?)采用直徑為16mm的圓柱型繞線骨架,所有繞線距骨架的上下都應(yīng)有4mm以上留邊距離;
  
 ?。?)初級(jí)采用寬6mm×厚0.05mm的銅箔,次級(jí)均采用線徑為0.2mm的漆包線,繞完初級(jí)后依次繞次級(jí),所有次級(jí)均一層內(nèi)繞完;
  
 ?。?)初級(jí)/磁芯中柱間絕緣要求的聚酯薄膜為24mm×0.05mm×2層,初/次級(jí)組間、次級(jí)組間及Ns8次級(jí)與外磁芯絕緣要求的聚酯薄膜為24mm×0.05mm×6層;
  
 ?。?)所有次級(jí)要一層繞完,初次級(jí)出線端頭應(yīng)伸出50mm左右;
  
  (5)初級(jí)出線和次級(jí)出線分別繞中柱兩邊,Ns1~Ns4出線和Ns5~Ns8出線分別位于磁芯一邊中的上下部位。
  
  圖1所示為傳統(tǒng)方法繞制的線包實(shí)物圖。
  
  2.2PCB線圈繪制
  
  線寬采用0.2mm,線間距為0.3mm;由于PQ40磁芯窗口寬度為11mm,在預(yù)留足夠絕緣空間的情況下PCB每層zui多布置17匝線圈,這樣每個(gè)次級(jí)繞組均需4層。如果全部初次級(jí)印制在同一塊PCB板中,就有(4層×8+2層)34層,這樣不僅成本太高,而且體現(xiàn)不出多層PCB板“薄”的優(yōu)勢(shì),所以,PCB板采用單層雙面聚四氟乙烯板,厚0.5mm,且雙面迭繞線圈,每組次級(jí)線圈均需兩塊PCB板。采用DXP2004軟件繪制的PCB線圈圖如圖2所示。限于篇幅,圖2中只示出Ns1中一塊PCB板的正背面。
  
  2.3分布電容大小的確定
  
  從變壓器初級(jí)視入,分布電容和初級(jí)電感構(gòu)成了并聯(lián)諧振回路,所以可以通過(guò)網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)得此諧振回路的諧振頻率,然后通過(guò)下式計(jì)算確定分布電容的大小:
  
  其中,f為諧振頻率,L為初級(jí)電感量,C為分布電容。表1所列為上述變壓器的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試結(jié)果。
  
  由表1數(shù)據(jù)可知,PCB線圈變壓器在分布參數(shù)上均優(yōu)于線包繞制變壓器。這歸因于PCB線圈易于控制線間距和層間距。
  
  3、次級(jí)加滿載時(shí)初級(jí)電壓波形及分析
  
  測(cè)試電路采用移相全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),控制芯片采用UCC3895,開(kāi)關(guān)管是IRFP460,芯片輸出開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)頻率為146.8kHz。輸入電壓為50V,輸出滿載功率為160W。圖3所示為8次級(jí)高壓變壓器實(shí)物圖。
  
  圖4所示為線包繞制的變壓器初級(jí)滿載波形圖,圖5所示為采用PCB線圈的變壓器初級(jí)滿載波形圖。

  
  通過(guò)圖4和圖5所示的兩個(gè)波形圖對(duì)比可知,分布參數(shù)已經(jīng)對(duì)電路的性能產(chǎn)生了影響。初級(jí)漏感越大,尖峰電壓幅度越大;分布電容越大,初級(jí)波形的完整性越差。這是因?yàn)榉植茧娙菖c電路中的寄生參數(shù)(如漏感和開(kāi)關(guān)管寄生電容等)產(chǎn)生了衰減振蕩;同時(shí)開(kāi)關(guān)管損耗增加,使得變換回路的效率難以提高。在讓輸入電壓從0V緩慢抬升到50V調(diào)試的過(guò)程中,線包繞制變壓器會(huì)發(fā)出“吱吱”的噪聲,換上PCB線圈變壓器后此現(xiàn)象解除。
  
  4、結(jié)語(yǔ)
  
  本文通過(guò)兩種不同工藝所繞制的變壓器說(shuō)明了分布電容對(duì)電路性能產(chǎn)生的影響,同時(shí),PCB線圈迭繞方式也有效地減少了分布電容,并提高了電路的工作性能,達(dá)到了優(yōu)化設(shè)計(jì)的目的。
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